IPP037N08N3 G INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf
IPP037N08N3 G是一款由英飞凌科技公司生产的OptiMOS™3系列功率晶体管,主要用于高频率切换和同步整流应用。这款芯片采用优化的技术,特别适合于DC/DC转换器,它具备优秀的栅极电荷乘以漏源导通电阻(FOM)产品,具有非常低的漏源导通电阻RDS(on),并且是N沟道、正常级别设计。此外,该芯片已经过100%雪崩测试,符合无铅镀层和RoHS指令的要求,且根据JEDEC标准进行了资格认证,同时也符合IEC61249-2-21的卤素含量规定,是一款环保型产品。 在电气特性方面,该芯片的最大连续漏极电流IDT在25°C时为100A,在100°C时同样为100A。脉冲漏极电流ID,pulse在25°C时可达400A。单脉冲雪崩能量EAS在ID=100A,RGS=25Ω时为510mJ。门极源极电压VGS的范围为±20V,最大功率耗散Ptot在25°C时为214W。操作和存储温度范围为-55到175°C,符合IEC气候类别标准。 热特性上,芯片的结-壳热阻RthJC未给出具体值,但通常在0.7K/W左右,而最小足迹的结-环境热阻RthJA在6cm²冷却面积条件下,最低可达到40K/W。静态特性中,漏源击穿电压V(BR)DSS在VGS=0V,ID=1mA时为80V,门阈电压VGS(th)在VDS=VGS,ID=155μA时为22.8至3.5V。零门极电压漏极电流IDSS在VDS=80V,VGS=0V,Tj=25°C时为-0.11μA,125°C时为-10至100nA。漏源导通电阻RDS(on)在不同VGS和ID条件下有相应变化,例如在VGS=10V,ID=100A时,其值在2.8至3.5mΩ之间。 动态特性方面,门极电阻RG大约在1.9Ω,而跨导gfs在|VDS|大于2倍|ID|RDS(on)max,ID=100A时的值为75至149S。这些参数综合表明,IPP037N08N3 G是一款高性能的功率MOSFET,适用于需要高效能、低损耗电源转换的场合,如服务器、通信设备、工业自动化系统等。封装形式包括PG-TO220-3、PG-TO262-3和PG-TO263-3,便于不同应用场景的选用。
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