IPB120N06S4-02 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书.pdf
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英飞凌的IPB120N06S4-02是一款高性能的N沟道增强型 MOSFET 芯片,适用于汽车电子、电源管理和其他需要高效能功率转换的领域。这款芯片具备多种特性,使其在工业应用中表现出色。 首先,IPB120N06S4-02是AEC(Automotive Electronics Council)认证的,这意味着它符合汽车行业的严格标准,确保了其在车载环境中的可靠性。同时,它符合MSL1标准,能在高达260°C的峰值回流温度下工作,确保了在制造过程中的耐热性。 该芯片的工作温度范围宽广,从-55°C到+175°C,这使其能在极端环境下保持稳定运行。作为一款绿色环保产品,它符合RoHS指令,不含有害物质。此外,所有产品都经过100%的雪崩测试,确保了在过载条件下的安全性。 在电气参数方面,IPB120N06S4-02的最大连续漏极电流(IDT)为120A,在25°C和100°C时都保持这一水平。脉冲漏极电流(ID,pulse)在25°C时可达480A,适合瞬时高功率需求。它的雪崩能量(EAS)在I_D=60A时为560mJ,而单脉冲雪崩电流(I_AS)为120A,保证了芯片在过电压情况下的稳定性。 门极源极电压(VGS)的额定值为±20V,而最大漏极源极阻抗(R_DS(on),max)在SMD版本中为2.4mΩ,这表示在低电阻状态下能实现高效能的开关操作。功率耗散(P_tot)在25°C时为188W,表明它在高功率应用中具有良好的散热性能。 热特性方面,结壳热阻(R_thJC)为0.8K/W,而结空载热阻(R_thJA)在62K/W范围内,对于SMD版本,在最小PCB足迹上,当冷却面积为626cm²时,R_thJA可低至40K/W。 在静态特性中,漏极源极击穿电压(V(BR)DSS)在VGS=0V,ID=1mA时为60V,而门阈值电压(VGS(th))在VDS=VGS,ID=140µA时为2.0V~4.0V。零门极电压漏极电流(I_DSS)在VDS=60V,VGS=0V时低于100nA。漏极源极导通电阻(R_DS(on))在VGS=10V,ID=100A时为2.4mΩ~2.8mΩ,SMD版本的值更低。 动态特性包括输入电容(C_iss)、输出电容(C_oss)和反向传输电容(Crss),分别在12120pF到15750pF、2980pF到3870pF和110pF到220pF之间。此外,还有开启延迟时间(t_d(on))、关断延迟时间(t_d(off))和上升时间(tr)等,这些参数影响MOSFET的开关速度和效率。 总的来说,IPB120N06S4-02是一款高耐压、低内阻、快速开关且具备出色热特性的N沟道MOSFET,广泛适用于需要高效能、高可靠性和低功耗的电力电子系统。
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