IAUC70N08S5N074 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书.pdf

英飞凌IAUC70N08S5N074是一款OptiMOS™-5系列的N沟道增强模式功率晶体管，专门设计用于汽车电子应用，并且符合AEC Q101的品质标准，确保了在严苛环境下的可靠性。这款芯片具有极高的温度耐受性，其工作和存储温度范围为-55至+175°C，适用于高温环境。此外，它还符合绿色产品标准，遵循RoHS规定，不含有害物质。 该芯片的最大连续漏极电流（I_D）在25°C和10V栅源电压下为70A，而在100°C时则降低到47A。脉冲漏极电流（I_D,pulse）在25°C时可达到280A。对于瞬态过载情况，英飞凌IAUC70N08S5N074已经通过了100%的雪崩测试，单脉冲雪崩能量（E_AS）在35A时为57mJ，单脉冲雪崩电流（I_AS）高达70A。这些特性确保了芯片在可能出现的短路或过载情况下能够安全运行。 门源电压（V_GS）的最大值为±20V，而总功率损耗（P_tot）在25°C时为83W。热特性方面，结壳热阻（R_thJC）典型值为1.8K/W，这表示芯片能有效地散热，降低了热应力。 在电气性能上，漏源击穿电压（V_(BR)DS(S)）在0V栅源电压和1mA漏极电流下为80V。门阈电压（V_GS(th)）在V_DS=V_GS和I_D=36μA时，范围在2.2至3.8V之间。零栅压漏极电流（I_DSS）在80V的漏源电压和0V的栅源电压下，25°C时为-0.11μA，85°C时为-120nA。漏源导通状态电阻（R_DS(on)）在不同条件下有所不同，6V栅源电压和18A漏极电流时，范围在9.1至10.6mΩ；10V栅源电压和35A漏极电流时，范围在6.6至7.4mΩ。门电阻（R_G）约为1.2Ω。 动态特性包括输入电容（C_iss）、输出电容（C_oss）和反向传输电容（C_rss），这些值对开关速度和效率有直接影响。输入电容范围在1600至2080pF，输出电容在274至356pF，反向传输电容在142至220pF。开启延迟时间（t_d(on)）、上升时间（t_r）、关闭延迟时间（t_d(off)）和下降时间（t_f）分别在4.7ns、1.2ns、7ns和5.8ns左右，表明其快速的开关性能。门控电荷特性包括门到源电荷（Q_gs）、门到漏电荷（Q_gd）和总门控电荷（Q_g），范围分别为8.0至10.0nC、5.2至8.0nC和23.0至30.0nC，这影响了驱动器的需求和开关损耗。该芯片内置反向二极管，其连续正向电流和脉冲电流在特定条件下可达70A和280A，正向电压（V_SD）在35A时为1.1V，确保了在需要二极管导通的情况下的稳定工作。 总体来说，英飞凌IAUC70N08S5N074是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET，适用于需要高电流处理能力、快速开关和低功耗的汽车和工业应用。其全面的电气和热特性使得它成为高功率转换、电机控制和其他电源管理应用的理想选择。