IPB180N08S4-02 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书.pdf
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英飞凌的IPB180N08S4-02是一款高性能的N沟道增强型MOSFET芯片,适用于汽车电子、工业电源、开关电源和电机驱动等多种应用。这款芯片通过了AEC Q101汽车电子委员会的质量认证,确保其在恶劣环境中具有高度的可靠性和稳定性。它符合RoHS标准,是一款绿色环保产品,同时具备100%的雪崩测试,确保其在过载条件下的安全性。 在电气参数方面,IPB180N08S4-02的最大连续漏极电流ID为180A,在25°C和10V栅源电压下,而脉冲漏极电流可达720A。其雪崩能量(单脉冲)EAS为640mJ,雪崩电流IAS最大为-175A。门极源极电压VGS的范围是-20V到+20V,而最大漏极源极电压VDS为80V。漏极源极导通电阻RDS(on)在10V栅源电压和100A漏极电流下典型值为2.2mΩ,确保了低损耗的性能。 热特性方面,芯片的结壳热阻RthJC为0.54K/W,这意味着在芯片内部产生的热量能快速有效地传递到外壳。对于表面安装器件,在最小PCB冷却面积条件下,结空气热阻RthJA的最小值为40°C/W。这些特性确保了芯片在高温环境下仍能保持良好的散热性能。 在电气特性方面,漏源击穿电压V(BR)DSS在VGS=0V,ID=1mA时为80V。门阈值电压VGS(th)在VDS=VGS,ID=220µA时,范围是2.0V到4.0V。零栅极电压漏极电流IDSS在VDS=80V,VGS=0V,Tj=25°C时为-0.031µA,而在125°C时则为-10至200nA。门源漏电流IGSS在VGS=20V,VDS=0V时不超过100nA。漏源导通状态电阻RDS(on)在VGS=10V,ID=100A时典型值为2.2mΩ。 动态特性上,输入电容Ciss、输出电容Coss和反向传输电容Crss分别在888到11550pF、343到4465pF和177到354pF之间。开通延迟时间td(on)、上升时间tr、关断延迟时间td(off)和下降时间tf分别在30ns到50ns之间,以及50ns。门极电荷特性包括:门极到源极电荷Qgs、门极到漏极电荷Qgd和总门极电荷Qg,分别在455到88nC、275到55nC和128到167nC之间。此外,芯片内置的反向二极管能够承受连续正向电流I_S达180A,脉冲电流I_S,pulse可达到720A。 综上所述,IPB180N08S4-02是一款高性能、高可靠性且具有出色热管理能力的N沟道MOSFET,适用于需要大电流、低损耗及稳定性的应用场景。其规格书详细列出了各项电气和热特性参数,为设计者提供了全面的技术参考。
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