IAUA180N08S5N026 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书.pdf

英飞凌的IAUA180N08S5N026是一款专为汽车应用设计的OptiMOS™-5系列N沟道增强模式功率MOSFET。这款芯片在设计时考虑了严格的汽车行业标准，超越了AEC-Q101的资格认证，确保了其在汽车环境中的可靠性和耐用性。 1. **技术特性**： - **OptiMOS™ 技术**：OptiMOS™是英飞凌的一种高效能、低电阻的MOSFET技术，旨在提供更高的能效和更低的热损耗。 - **N沟道增强模式**：这种MOSFET在栅极电压低于阈值时关闭，在高于阈值时打开，适合于电源开关应用。 - **正常级别**：表明这款MOSFET属于标准性能等级，适合广泛的应用场景。 - **扩展的资格认证**：除了满足AEC-Q101标准，该芯片还经过了更严格的电气测试，确保其在恶劣环境下的稳定性。 - **坚固的设计**：具有抗冲击和振动的能力，适应汽车环境的机械应力。 - **MSL3等级**：表示湿度敏感度等级为3，允许在高达260°C的峰值回流温度下工作。 - **操作温度**：能够在175°C的高温环境下稳定工作，满足汽车引擎舱等高温区域的需求。 - **绿色环保**：符合RoHS（无铅）规定，是环保产品。 - **100%雪崩测试**：所有产品都经过雪崩电流测试，确保在过载条件下的安全运行。 2. **潜在应用**： - **通用汽车应用**：该MOSFET适用于各种汽车电子系统，如电池管理系统、电动助力转向、空调控制、照明系统、车载充电器和DC/DC转换器等。 3. **产品验证**： - 根据AEC-Q101进行产品验证，这是汽车电子组件的质量和可靠性标准，确保了产品的可靠性。 4. **规格书内容**： - **描述**：详细介绍了MOSFET的技术规格、性能参数、电气特性以及应用范围。 - **最大额定值**：包括电压、电流和功率等参数的最大允许值。 - **热特性**：涵盖了热阻、结温等信息，帮助设计者评估散热解决方案。 - **电气特性**：列出了静态和动态的电气参数，如导通电阻(RDS(on))、漏电流、栅极阈值电压等。 - **电气特性图**：通过图表展示不同条件下电气特性的变化，有助于理解和优化电路设计。 5. **封装与标识**： - IAUA180N08S5N026采用PG-HSOF-5-45封装，便于安装和焊接。 - 标签上的N08026和PG-HSOF-5-4提供了额外的产品识别信息。 这款英飞凌的OptiMOS™-5 MOSFET以其出色的性能和汽车级别的可靠性，成为汽车电子系统设计的理想选择，尤其是在需要高效能、低功耗和高耐温性的场合。