SPD30P06P G INFINEON 英飞凌 电子元器件芯片.pdf

【SPD30P06P G 英飞凌电子元器件芯片】是英飞凌科技公司生产的一款增强模式P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款芯片主要用于电源管理和其他电力电子应用，具有高效率、高耐压和高温工作能力等特点。 1. **主要特性**： - **P-Channel**：该芯片是P沟道MOSFET，意味着它在栅极电压为负值时导通。 - **Enhancement mode**：增强模式表明MOSFET在没有栅极电压时不会导通，需要正向栅极电压才能开启。 - **Avalanche rated**：该器件能够承受雪崩击穿条件下的工作，具备抗雪崩能力。 - **dv/dt rated**：能承受较高的漏源电压变化率（dv/dt），这意味着它可以应对快速电压变化而不损坏。 - **175°C operating temperature**：可在高达175°C的环境中稳定工作，适合高温环境的应用。 2. **技术参数**： - **Drain-source voltage (VDS)**：最大漏源电压为-60V。 - **Drain-source on-state resistance (RDS(on))**：在-10V栅极电压和-21.5A漏电流下，RDS(on)为0.075Ω，表示芯片在导通状态下的内阻。 - **Continuous drain current (ID)**：连续漏电流最大为-30A，保证在正常工作条件下不损坏MOSFET。 - **Pulsed drain current (ID puls)**：脉冲漏电流峰值可达到-120A，适用于短时大电流需求。 3. **最大额定值**： - **Avalanche energy (EAS)**：在特定条件下，单脉冲雪崩能量为250mJ。 - **Gate-source voltage (VGS)**：栅极-源极电压的极限值为±20V。 - **Power dissipation (Ptot)**：在25°C环境下，最大功率耗散为125W。 - **Operating and storage temperature (Tj, Tstg)**：工作温度范围为-55°C至+175°C，存储温度同样如此。 4. **热特性**： - **Thermal resistance (RthJC, RthJA)**：分别表示结-壳体热阻和结-环境热阻，影响器件的散热性能。 - **RthJA值对于不同的安装和冷却条件有所不同**，例如，在最小足迹和6平方厘米冷却区域的PCB上，RthJA可能高达75或50K/W。 5. **电气特性**： - **Drain-source breakdown voltage (V(BR)DSS)**：在零栅极电压和-250μA漏电流下，漏源击穿电压为-60V。 - **Gate threshold voltage (VGS(th))**：在-1.7mA漏电流下，栅极阈值电压的范围是-2.1V到-4V。 - **Zero gate voltage drain current (IDSS)**：在-60V漏源电压和0V栅极电压下，零栅极电压的漏电流非常小，介于-0.1到100μA之间。 - **Gate-source leakage current (IGSS)**：在-20V栅极电压和0V漏源电压下，栅源漏电流不超过100nA。 6. **应用场合**： - SPD30P06P G常用于电源开关、直流电机驱动、电池管理系统、负载开关以及需要高效、高可靠性的P沟道MOSFET解决方案的任何领域。 SPD30P06P G是一款高性能、高耐压且适用于严苛环境的P沟道MOSFET，其出色的电气和热特性使其成为多种电源管理应用的理想选择。