BSR316P INFINEON 英飞凌 电子元器件芯片.pdf

BSR316P是一款由英飞凌（INFINEON）生产的P-Channel MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于Small-Signal-Transistor类型。这款电子元器件设计为增强模式，并且与逻辑电平兼容，适合在各种电路中作为小信号开关使用。以下是关于BSR316P的一些关键特性和技术规格： 1. **最大额定值**：在25°C的工作温度下，BSR316P的最大连续漏极电流（I\_DT）为1A，脉冲漏极电流（I\_D,pulse）取决于温度，且具有抗雪崩能力。Avalanche能量（E\_AS）在I\_D=-0.36 A和R\_GS=25 W/m时为单脉冲。 2. **电气特性**：门源电压（V\_GS）的最大值为-100V，最大功率耗散（P\_tot）在25°C时为1.8W。此外，该器件符合汽车电子委员会（AEC）的Q101标准，确保其可靠性。 3. **热特性**：结-环境热阻（R\_thJA）在最小足迹下未给出具体数值，表示器件的散热性能。工作和存储温度范围为-55°C到150°C，符合IEC61249-2-21的无卤素要求。 4. **封装信息**：BSR316P采用PG-SC59封装，与SOT23封装脚位兼容，方便在电路板上布局。包装形式为带状卷盘，每卷包含3000个芯片，标记为“H6327”。 5. **电气参数**：在25°C下，漏源击穿电压（V (BR)DSS）为100V，门阈值电压（V\_GS(th)）在-2V到-1.5V之间，零门电压漏电流（I\_DSS）在-100V的漏源电压和0V的门源电压下不超过1μA。 6. **动态特性**：输入电容（C\_iss）、输出电容（C\_oss）和反向传输电容（C\_rss）分别在124pF到165pF、253pF到330pF和132pF到200pF之间。开关时间如t\_d(on)、t\_r、t\_d(off)和t\_f也给出了范围，表明BSR316P具有快速的开关响应。 7. **栅极电荷特性**：门极充电过程包括输入电荷、输出电荷和反向传输电荷，这些特性影响了开关速度和效率。 BSR316P的主要应用可能包括电源管理、逻辑切换、信号路径控制等场合，特别是在需要低功耗、高效率和快速开关操作的电子设备中。由于其小尺寸和兼容逻辑电平的操作，BSR316P特别适合在汽车电子、消费电子和工业应用等领域使用。在设计电路时，必须确保其工作条件不超出上述规格，以确保长期稳定性和可靠性。