采用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子源制得了SiO2：Si辐照层。样品的室温可见PL谱峰位集中在560～700 nm的4个谱带；Raman谱表明样品中没有纳米硅晶形成，XPS谱检测到富氧和缺氧两种价键结构。560 nm发光中心起源于氧化硅层中的富氧结构缺陷SPR，620～700 nm的谱峰均源自非桥氧空穴中心NBOHC。研究了注入剂量和退火温度对缺陷发光特性的影响。结果表明，当Si离子注入剂量小于6×1016cm2时，伴随注人剂量的增加观察到PL谱带强度单调上升；当注入剂量超过6×1016cm2时，因过量
