掺饵硅基纳米发光薄膜的形成过程与性能研究 (2001年)

采用MEVVA离子源强束流离子注人机,将稀土Er离子注人单晶硅、Si和Er离子双注人单晶硅及热氧化硅,Er在硅基薄膜中的掺杂原子分数可达10％,即数密度约1021 CM-1;注人态样品快速退火后有纳米晶Si形成;77 K和室温时用441.6 nm光激发有Er3+较强的1.54μm特征光发射。探讨了在硅基材料中高浓度Er掺杂薄膜中纳米结构的形成与Er3+的光致发光性能。