热退火对非晶碳氧硅薄膜蓝光的影响

在250°C的温度下使用超高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）制备了呈现蓝色发光的非晶碳氧化硅（a-SiCxOy）膜。 研究了热退火对光致发光（PL）的影响。 在600°C的温度下进行的热退火导致蓝色PL显着增强，而在明亮的房间中用肉眼可以清楚地观察到蓝色PL。 蓝色PL具有在纳秒级时域上独立于激发波长的重组动态。 如通过透射电子显微镜所揭示的，在退火膜中既不存在Si也不存在SiC量子点。 PL结果结合对薄膜中化学键的分析表明，蓝色PL的起源很大程度上是由于通过Si相关的中性氧空位缺陷中心进行的电子-空穴对复合。