PECVD

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: PECVD法制备SiO 应用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法制备SiO2薄膜, 并用折射率来表征致密性。研究了SiO2薄膜致密性与射频(RF)功率、基板温度、腔内压强、N2O/SiH4流量比的关系。通过Filmetrics薄膜测厚仪F20测量了薄膜的折射率, ...
评级：0 浏览量：154 收藏量：2 资源大小：6.05MB 上传时间：2021-02-07

: 链式PECVD的操作手册链式PECVD的操作手册，有链式PECVD的详细操作流程。
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: 电源技术中的利用PECVD技术来提高晶体硅太阳能电池生产一引言　为了提高晶体硅太阳能电池的效率，通常需要减少太阳电池正表面的反射，还需要对晶体硅表面进行钝化处理，以降低表面缺陷对于少数载流子的复合作用。　硅的折射率为3.8，如果直接将光滑的硅表面放置在...
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: PECVD沉积氮化硅薄膜应用研究.pdf 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD) ,在单晶硅衬底上生长氮化硅(SiN) 薄膜,再对薄膜进行快速热退火处理,研究了在不同温度下SiN
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: ECR-PECVD制备纳米硅颗粒薄膜 (2011年) 在P型(100)硅片上采用电子回旋共振微波等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD) 技术交替沉积SiO2 /Si/SiO2层,改变衬底温度和H2流量沉积纳米硅薄膜,探讨低温下直接制备纳米硅薄膜的工艺.实验结果表明,在低温下,薄膜以非...
评级：0 浏览量：63 收藏量：0 资源大小：3.47MB 上传时间：2021-06-13

: PECVD technology overview 2014 Technology Overview •Advantages/Disadvantages of PECVD •LNF toolset and capabilities •Discussion –Challenges encountered –Research needs
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: Rf-PECVD制备Si掺杂DLC薄膜性能的研究为了改善类金刚石(DLC)薄膜的应力和热稳定性，采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术，通过在原有设备上加入与流量控制器相连的双起泡器，并以氩气为运载气体，正丁烷为反应物，在硅基底上实现了以液态...
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: PECVD法制备硅基类金刚石薄膜的摩擦学性能 PECVD法制备硅基类金刚石薄膜的摩擦学性能，王学东，王鹏，以N (100) 型的单晶硅片为基体，运用等离子体化学气相淀积台在单晶硅片衬底上沉积了类金刚石薄膜。用纳米压痕仪测定了薄膜的硬度，�
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: VHF—PECVD系统能量馈入模式对薄膜均匀性的影响为了解决甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)制备薄膜的非均匀性问题,采用准平面电路模型计算,给出了平板电极间电势的非均匀分布规律。在计算模型中,射频源采用面馈入的模式取代了点馈入的模式,使计算结果更...
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: 沉积温度对PECVD 法制备SiNx 薄膜光致发光峰的影响 (2012年) 本文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在p 型单晶硅(111)衬底上成功地制备了不同温度条件下的SiNx薄膜。室温下,在352 nm 光源激发下,每个样品有2 个发光位置,所有样品总共观测到了4 处不同的发光峰位:390、...
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: 非晶硅薄膜PECVD法制备与光学性质表征 (2007年) 在普通玻璃上采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法制备氢化非晶硅薄膜，研究了在不同温度、压力、功率、H2/SiH4气体流量比等条件下氢化非晶硅的沉积速率，折射率、消光系数、吸收系数、光学禁带宽度等光学性质...
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: 论文研究 - 引入新型挡板板概念以控制大容量PECVD室中的气体流动行为计算流体动力学（CFD）模拟被用作确定PECVD腔室内部的速度和压力分布的工具，并因此评估折流板的布局参数。另外，在安装和未安装Baffle-Plate的情况下进行实际的涂层实验。结果表明气流分布与涂层沉积速率的均匀...
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