AlN薄膜的椭圆偏振光谱模型研究 (2007年)

采用椭圆偏振光谱对MOCVD生长的AlN薄膜在波长430～850nm的光学参数进行了测量。通过建立不同的物理和色散模型，分别考察了薄膜表面和界面的椭偏效应。拟合结果表明，AlN薄膜的物理模型在引入表面层后，两类色散模型拟合的数据均与椭偏光谱实验数据吻合得很好。进一步考虑界面层所拟合的结果显示，界面层对Lorentz色散模型的影响较小，并且，其拟合所得AlN薄膜厚度与扫描电镜所测厚度一致，因此，认为仅含表面层的Lorentz色散模型更简单实用。