工作气压对磁控溅射Ta2O5薄膜电学性能的影响 (2007年)

信息技术的发展提出了采用高k栅介质材料替代SiO2的需要。高介电Ta2O5薄膜的研究具有很强的应用背景。但是在实际应用中，漏电流较大成为Ta2O5的一个缺点。本文研究了磁控溅射方法制备Ta2O5薄膜时工作气压对于薄膜电学性能的影响。实验制备了小同工作气压的Ta2O5薄膜，测试了样品的粗糙度和绝缘性能，并对实验结果进行了分析。