模拟技术中的硅-硅直接键合的工艺模拟

硅-硅直接键合工艺是一个复杂的过程，受许多客观的工艺条件和工艺水平的限制。硅-硅直接键合工艺还没有象IC工艺发展的那样成熟，对工艺的各项单项工艺的结果进行计算模拟，为设计工艺条件提供可靠的依据。本章主要工作是建立硅-硅直接键合单项工艺的物理数学模型，根据实际的工艺条件推导出它们的理论结果，对硅片键合的结果进行预测，并且与实际其它测量设备的测量结果进行比较，改进和完善工艺的物理数学模型，建立一套完整的键合工艺IP库，使键合工艺象IC工艺一样可以直接模拟。目前，主要进行了三方面的工作：（1）硅-硅直接键合的杂质分布，包括了退火温度、退火时间、杂质浓度和类型、界面本征氧化层等影响杂质分布的因素；（2