PCB技术中的Infineon用锗化硅和碳双极工艺开发高频集成电路

计算机世界网消息 德国Infineno公司7月4日(美国当地时间7月3日)宣布，在慕尼黑实验室其研究人员利用锗化硅和碳(SiGe：C)的双极工艺，开发出了工作频率超过110GHz的高速动态分频集成电路。其比竞争对手的相应器件，工作频率高出10%至30%。 　　Infineno公司采用先进的锗化硅-碳双极工艺技术，设计出了工作频率超过200GHz的用于高速通信的Bulding模块。采用这种技术制作出的器件，其截止频率可超过200GHz。由该器件制成的环形振荡器的栅延迟时间为3.7p秒。Infineno公司称，用该器件制作的电路经测试，其工作噪声极低，并以良好的晶体管平衡性，适用于数字或模拟两用电 标题中的“PCB技术中的Infineon用锗化硅和碳双极工艺开发高频集成电路”指的是一项由德国Infineono公司研发的技术，该技术利用锗化硅（SiGe）和碳（C）的双极工艺，实现了高频集成电路的创新。这种技术在提升电路的工作频率方面取得了突破，能够超过110GHz，远超同类竞品，提高了10%到30%的工作频率。 描述中提到，Infineono公司的研究人员在慕尼黑实验室利用SiGe:C双极工艺，设计并制造了工作频率超过200GHz的高速通信Building模块。这种器件的截止频率超过200GHz，栅延迟时间仅为3.7皮秒（psec），显示了极高的速度性能。此外，这些由新工艺制成的电路具有低工作噪声和优秀的晶体管平衡性，适用于数字和模拟两种类型的电路应用。 具体到电路性能，例如，分频集成电路的最大输入频率可以达到110GHz以上，工作电压为5伏，工作电流为180微安，分频比为2。另一款静态分频集成电路，最大输入频率86GHz，分频比32，同样工作在5伏电压下，但消耗电流为180毫安。通过这些器件可以构建工作在95G至98GHz频段的调压式振荡器(VCO)，具有出色的相位噪声性能。 Infineono公司的这项技术主要应用于高速数据通信（1Gbps级别）、宽带无线通信以及微波通信领域。其目标是制造高速数字或模拟转换设备，未来还可能发展出高频晶体管和二极管等分立器件，这些器件将有助于构建低功耗的40Gbps有线通信系统、高速微波无线系统，以及高达60GHz的宽频带通信系统，甚至在77GHz频率下的车载雷达防撞系统。 Infineono公司不仅在DRAM领域有深厚积累，还在车载电子系统、工业电子系统以及通信系统用芯片的研发上有所涉足，它起源于西门子的半导体子公司，现在已经成为全球领先的半导体解决方案提供商之一。 Infineono公司通过创新的锗化硅和碳双极工艺，为高频集成电路的发展开辟了新的道路，提升了高速通信系统的性能，预示着未来在无线通信、雷达技术和有线通信系统等领域的重大进步。这种技术的先进性和广泛的应用前景，对于推动整个信息技术行业的发展具有重要意义。