退火对高阻AZO薄膜结构及紫外光电导特性的影响* (2010年)

在石英衬底上采用射频磁控溅射的方法制备高电阻AZO薄膜，其中高电阻由高氧氩比环境得到。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对薄膜的晶体结构、表面形貌进行表征，重点研究了不同退火温度对薄膜的结构及紫外光电导特性的影响。结果表明：适当温度的退火有助于薄膜结构的优化，而随着退火温度的增加，薄膜的紫外光电导特性呈现出先增加后减小的变化趋势，并在400 ℃条件下达到最优紫外响应效果。