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P型微晶碳化硅薄膜(p-μc-SiC:H)作为非晶硅薄膜太阳电池的窗口层材料,能够提高P层的光学带隙,增加窗口层可见光部分的透光率,从而提高太阳电池的填充因子和转换效率。本文研究射频功率、反应温度、SiH4和CH4气体流量比对 FTO导电玻璃上P型μc-SiC:H薄膜的光学带隙、透光率的影响。并在相同工艺条件下对比三种主流导电玻璃(ITO、AZO、 FTO)上的薄膜光学特性,找到最适合做太阳能电池P-μc-sic:H薄膜的基板。
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