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介绍了一种基于CSMc 0.5μm 2P3M n-阱混合信号CMOS工艺的高阶温度补偿的带隙参考源。该CMOS带隙参考源利用了Buck电压转换单元和与温度无关的电流,提供了一种对基极.发射极电压VBE的高阶温度补偿。它还采用共源共栅结构以提高电源抑制比。在5V电源电压下,温度变化范围为-20~100℃时,该带隙参考源的温度系数为5.6ppm/℃。当电源电压变化范围为4~6V时,带隙参考源输出电压的变化为0.4mV。
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weixin_38704386
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