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一种高阶曲率补偿的带隙电压基准 (2007年)
一种高阶曲率补偿的带隙电压基准 (2007年)
自然科学
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设计了一种高阶曲率补偿的带隙电压基准。基于一阶曲率补偿的带隙电压基准,利用三极管基极发射极电压
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一种带隙基准电压源设计
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基准电压源是在电路系统中为其它功能模块提供高精度的电压基准,它是模拟集成电路和混合集成电路中非常重要的模块。文中主要研究了带隙基准基本原理的基础上,设计了一款应用于折叠插值ADC中粗量化电路部分CMOS带隙基准源。最后通过Pspice仿真给出了实验仿真的结果。
一种高精度曲率补偿CMOS带隙基准的设计 (2007年)
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普通的一阶补偿带隙基准因忽略了VBE的高阶非线性项,其温度系数一般在20 ×10-6-30 × 10-6/℃,不能满足高精度系统的设计要求,因此为了得到温度系数更好的基准电压,需要对带隙基准中VBE的高阶项进行补偿。文章利用工作在亚阈值区MOs管的I-V指数特性,分别对低温及高温条件下VBE的高阶非线性项进行了补偿,从而实现了高精度基准电压。
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为了得到一个更加精确的基准电压,本文对原有的经典的高阶补偿带隙基准电路经行改进。通过在传统的高阶带隙基准源结构上,改变mos管尺寸和增加一个带有反馈的运放,实现了理论分析和电路建模的完全重合。该电路采用...
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1 引 言 带隙是半导体量子物理的名词,带是能量带,隙是两带之间的电势差。晶体管的PN结压降与这有关。带隙基准源是利用三极管的Vbe的特性做出来的低温度系数的电压基准。 带隙基准源广泛应用于各类集成电路之中。本文介绍带曲率补偿的带隙基准源的原理,并将其与传统带隙基准源进行比较,突出其在温度特性上的优点,并介绍一种运用曲率补偿的带隙基准源电路。 2 传统带隙基准源原理 带隙基准的原理是产
高阶曲率补偿电流模式的CMOS带隙基准源 (2008年)
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为获得一个稳定而精确的基准电压,提出了一种适用于低电源电压下高阶曲率补偿的电流模式带隙基准源电路通过在传统带隙基准源结构上增加一个电流支路,实现了高阶曲率补偿该电路采用Chartered 0.35μm CMOS工艺,经过Spectre仿真验证,输出电压为800mV,在-40~85℃温度范围内温度系数达到3×10-6℃-1,电源抑制比在10kHz频率时可达-60dB,在较低电源电压为1.7V时电路可
一种采用二次曲率补偿的带隙基准源
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基于二次曲率补偿的基本原理,提出一种高精度的采用二次曲率补偿的新型带隙基准源电路,产生二次温度补偿量对传统的带隙基准源进行校正,获得更小的温度系数。该电路采用0.6μm的CMOS工艺实现。经过Spectre仿真,结果表明在-50~+125℃的温度范围内,基准电压源的平均温度系数为4.47 ppm/℃。该基准源可以被应用于各种高精度的模拟和混合集成电路。
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利用双极型晶体管的温度非线性在整个温度区域内产生7段不同斜率的补偿电流,通过电流模形式对基准电压的高阶温度分量进行叠加,进而对带隙基准电压实现精确温度补偿。基于0.25 μm BCD工艺设计了一款低温漂高精度的...
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一种二阶曲率补偿CMOS带隙基准 (2013年)
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