一种二阶曲率补偿CMOS带隙基准 (2013年)

设计了一种采用电流求和技术的亚1 V二阶曲率补偿CMOS带隙基准。基于CSMC 0.5 μm标准CMOS工艺对所设计的带隙基准进行了仿真验证。仿真验证结果显示：所设计的带隙基准获得了0.75 V的带隙参考电压；在-25~125 ℃温度范围内，带隙基准参考电压的温度系数仅为2.548×10-6；当电源电压在2.6~6.2 V变化时，带隙基准的输出电压变化仅0.08 mV;带隙基准参考电压在10 Hz，100 Hz，1 kHz，100 kHz处分别获得