高阶曲率补偿电流模式的CMOS带隙基准源 (2008年)

为获得一个稳定而精确的基准电压，提出了一种适用于低电源电压下高阶曲率补偿的电流模式带隙基准源电路通过在传统带隙基准源结构上增加一个电流支路，实现了高阶曲率补偿该电路采用Chartered 0.35μm CMOS工艺，经过Spectre仿真验证，输出电压为800mV，在-40～85℃温度范围内温度系数达到3×10-6℃-1，电源抑制比在10kHz频率时可达-60dB，在较低电源电压为1.7V时电路可以正常启动．补偿改进后的电路性能较传统结构有很大提高．