具有p-InAlGaN空穴注入层的GaN基发光二极管的性能改进

对具有p-InAlGaN空穴注入层（HIL）的蓝色发光二极管（LED）的特性进行了数值分析，仿真结果表明，新设计的结构具有出众的光学和电学性能，例如增加了光输出功率这些改进可以归因于p-InAlGaN用作空穴注入层，可以减轻极化场引起的能带弯曲，从而提高空穴注入效率和电子阻塞效率。