具有AlInN / GaN超晶格电子阻挡层的蓝色发光二极管的性能改进

数值分析了具有AlInN / GaN超晶格（SL）电子阻挡层（EBL）的蓝色发光二极管（LED）的特性。 研究了量子阱中的载流子浓度，能带图，静电场和内部量子效率。 结果表明，与具有常规矩形AlGaN EBL或AlGaN / GaN SL EBL的LED相比，具有AlInN / GaN SL EBL的LED在有源区具有更高的空穴注入效率，更低的电子泄漏和更小的静电场。 结果还表明，当使用AlInN / GaN SL EBL时，效率下降明显改善。