具有AlGaN / InGaN超晶格电子阻挡层的InGaN发光二极管的性能增强

对具有AlGaN / InGaN超晶格（SL）电子阻挡层（EBL）的InGaN发光二极管（LED）的效率进行了数值研究，涉及光电流性能曲线，内部量子效率静电场带波函数，能带图载流子浓度，电子电流密度和辐射复合率。 仿真结果表明，由于适当修改了能带图，具有AlGaN / InGaN SL EBL的LED具有比具有常规矩形AlGaN EBL或常规AlGaN / GaN SL EBL的LED更好的光学性能，这有利于注入空穴和电子约束。 此外，具有AlGaN / InGaN SL EBL的LED的效率下降通过减小有源区中的极化场而得到显着改善。