AlGaN基深紫外发光二极管空穴注入效率的提高途径

目前，发光波长短于360 nm的深紫外发光二极管 (DUV LEDs) 的外量子效率 (EQE) 普遍低于10%。一方面，基于高AlN组分AlGaN材料量子阱的出光中存在大量的横磁 (TM) 模式的偏振光，这极大程度上降低了DUV LEDs器件的光提取效率 (LEE)；另一方面，受限于现阶段AlGaN材料的外延生长水平，DUV LEDs器件的晶体质量普遍比较差，增加了有源区内非辐射复合率，造成DUV LEDs器件内量子效率 (IQE) 的衰减。除此之外，载流子注入效率也严重影响着DUV LEDs器件的IQE，尤其是空穴注入效率。为此，研究人员开展了大量的研究来提高空穴注入效率，从而改善DUV LEDs器件的EQE。着重总结探讨了近年来提高DUV LEDs器件空穴注入效率的诸多措施，深刻揭示了其中的物理机理，对改善DUV LEDs的器件性能具有重要的意义。