热退火对铟锡氧化物薄膜电学和光学性能的影响

通过电子束蒸发将厚度为300 nm的透明导电铟锡氧化物（ITO）薄膜沉积在石英基板上，并将其中的五个在空气中于200°C至600的五个选定温度下进行后退火10分钟。分别为℃。 采用紫外可见分光光度计和霍尔测量系统来表征ITO薄膜。 详细研究了空气中的热退火对电学和光学性质的影响。 在300°C退火后，薄层电阻达到最小值6.67Ω/ sq。 在更高的退火温度下，其急剧增加。 在从400nm到800nm范围内的平均透射达到最大的89.03％退火在400℃后，和品质因数达到最大值17.79（单位：10 -3Ω-1）相同的退火条件下。 随着退火温度从400°C升高到600°C，透射率的变化可以忽略不计，但是由于电导率的下降，品质因数显着下降。 随着退火温度的升高，吸收边移向更长的波长。 可以根据布尔斯坦-莫斯变换来解释它。 光学带隙的值在3.866–4.392 eV的范围内变化。