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热退火处理掺砷MgZnO薄膜的光学性能
热退火处理掺砷MgZnO薄膜的光学性能
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热退火处理掺砷MgZnO薄膜的光学性能
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退火温度对ZnO薄膜性能的影响 (2009年)
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采用射频磁控溅射法在硅衬底上制备出具有(002)择优取向 ZnO薄膜.利用 X射线衍射分析( XRD)、原子力显微镜( AFM)、双光束紫外可见分光光度计等仪器分析了退火温度对 ZnO薄膜的结构、应力状态、表面形貌和光学性能的影响.结果表明,在射频功率为 100W时所制备的ZnO薄膜,当退火温度为 600℃时,能获得最佳 c轴取向和最小半高宽,此时 ZnO薄膜具有较低的表面粗糙度和较高的透射率.
退火时间对AZO薄膜结构及光学性质的影响
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采用直流磁控溅射方法,以K9玻璃为衬底制备掺铝氧化锌(ZnO:Al,AZO)薄膜。在300℃真空条件下对样品进行退火处理,研究不同退火时间对薄膜内部微观结构、表面形貌及光学特性的影响。结果表明,最佳退火时间为2 h,此条件下的AZO薄膜具有较强的(002)衍射峰,晶粒尺寸为17.2 nm,表面结构平整致密,紫外-可见波段的平均透射率为93.47%,光学带隙为3.41 eV。
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热退火处理对氧化铟锡薄膜光电特性的影响
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