MOCVD法生长InA1N材料及其微结构特性研究* (2014年)

利用MOCVD法，在7.62cm蓝宝石衬底上生长了InA1N薄膜及InA1N/GaN异质结材料。利用XRD、AFM、Hall等测试方法对材料的组分、表面形貌、电学性质等进行了分析，InA1N薄膜中In含量随生长温度的升高明显降低，材料表面为三维岛状结构；与AIGaN/GaN异质结材料相比，InA1N/GaN异质结的高温电子输运特性更好，773 K下InA1N/GaN异质结的迁移率为130 cm2/(v・s)，明显高于AIGaN/GaN异质结的67cm2/(v・s)。