ECR-MOCVD法外延生长GaN薄膜及其研究,薛永奇,陈俊芳,采用电子回旋共振等离子体增强化学汽相沉积(ECR-MOCVD)在(0001)面蓝宝石衬底上低温(450oC)外延生长了 GaN薄膜。通过等离子体的发射�
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