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NTJD4001NT1G的技术参数
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2020-12-11
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产品型号:NTJD4001NT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):1500最大漏极电流Id(on)(A):0.250通道极性:N封装/温度(℃):SC88-6/-55~150描述:30V,0.25A,N沟道双MOSFET价格/1片(套):¥.60
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