NTJD4001NT1G-VB MOSFET 应用分析
在本文中，我们将对NTJD4001NT1G-VB MOSFET进行详细的分析，涵盖其特性、应用场景、绝对最大额定值、thermal resistance ratings、规范等方面的知识点。
特性
NTJD4001NT1G-VB MOSFET是双 N-Channel 20 V (D-S) MOSFET，具有TrenchFET® Power MOSFET和Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition的特点。它还具有100 % Rg Tested和Typical ESD Protection 2100 V HBM的特性。
应用场景
NTJD4001NT1G-VB MOSFET可用于Load Switch for Portable Applications，例如智能手机、笔记本电脑、平板电脑等便携式设备的电源管理、充电器、电池管理等领域。
绝对最大额定值
NTJD4001NT1G-VB MOSFET的绝对最大额定值包括：
* Drain-Source Voltage (VDS)：20 V
* Gate-Source Voltage (VGS)：± 12 V
* Continuous Drain Current (ID)：2.6 A (TJ = 150 °C)，2.3 A (TJ = 25 °C)
* Pulsed Drain Current (IDM)：8 A
* Continuous Source-Drain Diode Current (IS)：2.3 A (TJ = 25 °C)
* Maximum Power Dissipation (PD)：2.70 W (TJ = 25 °C)，1.70 W (TJ = 70 °C)
* Operating Junction and Storage Temperature Range (TJ, Tstg)：- 55 to 150 °C
热阻抗Rating
NTJD4001NT1G-VB MOSFET的热阻抗Rating包括：
* Maximum Junction-to-Ambient (RthJA)：130 °C/W (TJ = 25 °C)，170 °C/W (TJ = 70 °C)
* Maximum Junction-to-Foot (Drain) Steady State (RthJF)：80 °C/W
规范
NTJD4001NT1G-VB MOSFET符合RoHS Directive 2002/95/EC和Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition的规范。
NTJD4001NT1G-VB MOSFET是一款高性能、低损耗的MOSFET，广泛应用于便携式设备的电源管理、充电器、电池管理等领域。
