FDG6332C-VB MOSFET 参数应用解析
FDG6332C 是一款 N+P 道沟道 MOSFET，由 VBsemi 公司生产。该器件具有 ±20V 的沟道电压、2.5/-1.5A 的漏源电流、130/230mΩ@4.5V 和 160/280mΩ@2.5V 的 RDS(ON)，并且具有 20Vgs（±V）和 ±0.6~2Vth(V) 的阈值电压。该器件采用 SC70-6 封装，具有 Fast Switching 和低 RDS(ON) 的特点，非常适合便携式设备的负载开关应用。
FDG6332C MOSFET 的主要特点包括：
1. N+P 道沟道 MOSFET，具有 ±20V 的沟道电压和 2.5/-1.5A 的漏源电流。
2. 具有 130/230mΩ@4.5V 和 160/280mΩ@2.5V 的 RDS(ON)，非常适合高速开关应用。
3. 阈值电压为 ±0.6~2Vth(V)，能够满足不同的电压应用要求。
4. 采用 SC70-6 封装，具有小体积和轻便的特点，非常适合便携式设备的应用。
5. 具有 Fast Switching 的特点，能够满足高速开关应用的要求。
FDG6332C MOSFET 的应用包括：
1. 负载开关：FDG6332C 可以作为负载开关，控制电路的电流和电压。
2. 便携式设备：FDG6332C 的小体积和轻便的特点使其非常适合便携式设备的应用。
3. 高速开关：FDG6332C 的 Fast Switching 特点使其非常适合高速开关应用。
FDG6332C MOSFET 的参数包括：
*沟道类型：N+P 道沟道
*沟道电压：±20V
*漏源电流：2.5/-1.5A
*RDS(ON)：130/230mΩ@4.5V，160/280mΩ@2.5V
*阈值电压：±0.6~2Vth(V)
*封装：SC70-6
FDG6332C MOSFET 是一款高性能的 MOSFET，具有高速开关和小体积的特点，非常适合便携式设备的负载开关应用。
