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NTJD1155LT1G的技术参数
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2020-12-11
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产品型号:NTJD1155LT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):8源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):175最大漏极电流Id(on)(A):1.300通道极性:P沟道封装/温度(℃):SOT-363/-55 ~150描述:8 V, ± 1.3 A功率MOSFET价格/1片(套):¥1.60
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NTJD1155LT1G的技术参数的技术参数
产品型号:NTJD1155LT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):8源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):175最大漏极电流
Id(on)(A):1.300通道极性:P沟道封装/温度(℃):SOT-363/-55 ~150描述:8 V, ± 1.3 A功率MOSFET价格/1片(套):
¥1.60
产品型号:NTJD1155LT1G
源漏极间雪崩电压VBR(V):8
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):175
最大漏极电流Id(on)(A):1.300
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):SOT-363/-55 ~150
描述:8 V, ± 1.3 A功率MOSFET
价格/1片(套):¥1.60
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