TSV阵列交流电阻计算方法的研究与实现

硅通孔（Through Silicon Via，TSV）作为三维集成电路中的关键互连技术，用于连接不同层的芯片输入与输出。当通有交变电流的多个TSV相互靠近时，会产生邻近效应，造成TSV电阻的增大，从而影响TSV的传输性能。因此，提出了一种基于重心插值法计算TSV阵列交流电阻的方法，在对TSV横截面进行三角剖分和剖分顶点上电流强度确定的基础上，利用插值法计算TSV的交流功耗，利用交直流功耗比计算TSV的交直流电阻比，进而得出邻近效应影响下的TSV的交流电阻值。该方法实现了对任意规模、任意排布方式的TSV阵列交流电阻的计算，从而能够为三维集成电路中传输结构的设计提供指导和验证。最后，将算法的数值结果与商业求解器ANSYS Q3D的计算结果进行对比，实验结果表明，该方法的求解效果更佳。