D封装与硅通孔TSV工艺技术PPT课件.pptx

"D封装与硅通孔TSV工艺技术PPT课件" 本资源为一份关于D封装与硅通孔TSV工艺技术的PPT课件，内容涵盖了3D封装、TSV技术简介、TSV技术特点等方面。 3D封装 3D封装是指在不改变封装体尺寸的前提下，在同一个封装体内于垂直方向叠放两个以上芯片的封装技术。它起源于快闪存储器（NOIUNAND）及SDRAM的叠层封装。3D封装有三种形式：填埋型、有源基板型和叠层型。填埋型是将元器件填埋在基板多层布线内或填埋、制作在基板内部。有源基板型是用硅圆片集成（wafer scale integration, WSI）技术做基板时，先采用一般半导体IC制做方法作一次元器件集成化，形成有源基板，然后再实施多层布线，顶层再安装各种其他IC芯片或元器件，实现3D封装。叠层型是将两个或多个裸芯片或封装芯片在垂直芯片方向上互连形成3D结构。 TSV技术简介 TSV（through silicon via）技术简称硅通孔技术，是利用垂直硅通孔完成芯片间互连的方法。TSV技术可以实现更小更薄而性能更好、密度更高、尺寸和重量明显减小的封装，同时还能用于异种芯片之间的互连。TSV技术可以使芯片在三维方向堆叠的密度最大，外形尺寸最小，并且大大改善芯片速度和低功耗的性能。 TSV技术特点 TSV技术有很多优点，例如可以减小信号传输过程中的寄生损失和缩短时间延迟，能够连接两块芯片内的不同核心，还能将处理器和内存等不同部件连在一起，并通过数千个微小的连线传输数据。此外，TSV技术还可以节约主板空间，大大降低功耗，据称，TSV可以将硅锗芯片的功耗降低大约40%。 TSV技术是一种革命性的封装技术，它可以使芯片在三维方向堆叠的密度最大，外形尺寸最小，并且大大改善芯片速度和低功耗的性能。TSV技术将受到很多便携式消费类电子产品的有力推动，这些产品需要更长的电池寿命和更小的波形系数。