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半导体工艺技术PPT课件.pptx
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接触与互联
将器件连接成特
定的电路结构:金
属线及介质的制
作,使得金属线
在电学和物理上均
被介质隔离。
全局互连
(
Al
)
局部互连
(多晶
硅
,
硅化
物
,
T
iN
)
(
IMD
)
接触(
contact
)—金属和硅的结合部
通孔(
via
)—用于连接不同层的金属连线
金属间介质(
IMD
)
钝化层(
passivatio
n
)
(
PMD
)
第
1
页
/
共
129
页
后端工艺越来越重要
占了工艺步骤中大部分
影响
IC
芯片的速度
多层金属互连增
加了电路功能并
使速度加快
第
2
页
/
共
129
页
互连的速度限制可以作简单的估计
由全局互连造
成的延迟可以表达
为:
其中
e
ox
是介质的介电常数
,
K
是边缘
场效应的修正
系数,
r
是金属线的电阻
率
e
第
3
页
/
共
129
页
对
IC
金属化系统的主要要
求
(1)
金属和半
导体形成低阻接
触
(2)
低阻互连
(3)
与下面的
氧化层或其它介
质层的粘附性好
(4)
台阶覆盖
好
(5)
结构稳定
,不发生电迁移
及腐蚀现象
(6)
易刻蚀
(7)
制备工艺
简单
电学、机械、热学、
热力学及化学
第
4
页
/
共
129
页
可能形成互连
的导电材料
金属 (
metal
):
low resistivity
多晶硅(
poly–Si
):
Medium
resistivity)
硅化物(
metal sil
icides
):介于以上二
者之间
第
5
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