磁控溅射制备的含He纳米晶铜膜的微结构分析 (2011年)

采用直流磁控溅射法,在不同的He/Ar混合气氛下,制备了不同He含量的铜膜。利用弹性反冲探测(ERD)方法探测了铜膜中氦的含量和深度分布,实验发现引入铜膜中的氦深度分布较均匀;并本文采用X射线衍射(XRD)分析了铜膜中氛的微结构,实验结果表明随着铜膜中氦含量的逐渐增加,对应CU(111)晶面的峰强也有所增强;最后应用了慢正电子束分析(SPBA)技术测量了不同含氦铜膜的缺陷结构,随着铜膜中氛的增加,S参数会发生相应的变化。