用化学镀改善多孔硅的金半接触质量* (2014年)

多孔硅是一种具有优良光吸收特性的表面微结构材料，在光电探测器和太阳能光伏电池领域具有良好的应用前景。为了改善金属/多孔硅电接触质量，通过电化学腐蚀制备多孔硅，对比研究了化学镀与物理气相沉积(热蒸发、磁控溅射)工艺制备出的金属电极界面结构，测试了相应I-V特性，并讨论了快速退火对金半接触质量的影响。研究结果表明，用化学镀工艺在多孔硅表面制备金属电极，经快速退火处理后，能得到较低比接触电阻(10-1Ω・cm2)的欧姆电接触。