多孔硅形成过程及孔隙率的计算机模拟 (2007年)

为了用计算机模拟电化学方法制备多孔硅的过程,墓于Monee Carlo和扩散限制模型(DI.A)建立一种新模型,引入耗尽区范围、腐抽半径和腐几率等参数,用Matlab来实现。模拟得到了电流密度,F酸浓度、腐性时间以及硅片掺杂浓度等实验条件对多孔硅孔隙率的影响趋势,与实验结果一致,模拟出的孔隙率值也与实验值接近。因此所建立的模型可以用来模拟电化学法制备多孔硅的过程。