杂质分布的计算模拟

至此，Ⅰ区杂质As在Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ区中的浓度分布 C1(x,t)、C2(x,t)、C3(x,t)均已求出。同理，可以得到Ⅲ区低浓度杂质在Ⅲ、Ⅱ、Ⅰ区中的分布C4(x,t)、C5(x,t)、C6(x,t)。令Ⅰ、Ⅲ区杂质的分凝系数为m0、m1，k0=1/m0，k1=1/m1。两种杂质分布相迭加，得Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ区净杂质浓度分布： 在硅-硅直接键合的过程中，由于中间本征氧化层的存在，对杂质的扩散产生了很大影响，在杂质由Si中进入SiO2时，由于杂质SiO2中的扩散系数远小于Si中的扩散系数，阻止了杂质的扩散；在杂质由SiO2中进入Si时