采用肖特基二极管测量外延层杂质分布 (1975年)

气相化学反应的硅外延生长，被广泛地用来制造半导体集成电路、晶体管及其它各种半导体器件。硅外延生长的电阻率或杂质浓度对于上述应用的电学参数影响很大，如击穿电压、收集极串连电阻都是由它直接决定的。另外，新发展起来的超高速逻辑电路等则要求外延生长层在３μ左右，所以更必须注意埋层的反扩散、自身掺杂等影响引起的外延层深度方向的杂质浓度分布。目前，我厂采用的半经验的三探针法是利用点接触二极管击穿来测量外?...