利用恒流非稳态MOS特性直接测量硅外延层杂质分布(Ⅰ) (1980年)

本文提出了利用恒流非稳态MOS特性测量硅外延层杂质分布的一种快速,简捷的新方法。此法由于没有反向传导电流的影响,所以,比利用肖特基势垒方法要精确些;由于克服了二倍费米势的限制,所以,比通常的MOS方法所测的范围要宽些;由于是一种直接测量,所以比一般MOS脉冲方法更快些。因此,用此法测量的外延层分布是实际载流子分布的一种较好的近似。这种方法适合于外延片生产自动化过程中的快速测量。