热喷涂法制备Sb掺杂的SnO2薄膜 (2010年)

以SnCl4・5H2O和SbCl3为原料,采用喷雾热分解法在管状石英玻璃基材上制备出Sb掺杂的SnO2透明导电薄膜,并采用X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)对薄膜的结构和表面形貌进行了分析,研究了Sb掺杂量和喷涂温度对薄膜方阻及结构的影响.结果表明:当Sb掺杂量为6 mol%、成膜温度为500 ℃时,薄膜的方阻达到最低(65Ω/□),结构最致密.