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采用氧等离子体辅助脉冲激光沉积(PLD)法,在n-Si(001)衬底上制备出性能良好的Sb掺杂p型Zn0薄膜,其电阻率为44.18S2・cm,空穴浓度为3.78x1016cm-3,霍尔迁移率为3.74cm2V-ls-1,ZnO薄膜在室温下放置9个月,其p型性能基本保持不变。I-V曲线显示良好的整流特性,进一步证明了Sb掺杂Zn0薄膜的p型导电性。进行低温光致发光(PL)谱测试,确认Sb掺杂p型Zn0薄膜存在2种受主态,其受主能级分别为161和336meV,分析认为336meV深受主为Zn空位;161meV
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weixin_38537315
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