掺杂氧的Ge-Sb-Te相变薄膜的光学性质

研究了氧掺入Ge-Sb-Te射频溅射相变薄膜在400 nm～800 nm区域的光学常数(n,κ)和反射、透射光谱,发现适当的氧掺入能大大增加退火前后反射率对比度,因此可通过氧掺入改良Ge-Sb-Te相变材料的光存储性能.