离子束溅射沉积角对Ni/Si膜界面特性影响的研究 (1994年)

用Ar+离子束溅射高纯多晶Ni靶，在Si(100)基面上沉积150nm的Ni膜。经400℃的真空退火1小时后，分别用XRD和XPS检验了两种大小不同角度上沉积试样的生成相及界面态。当沉积角≥66°时，试样退火后仅出现Ni膜择优取向晶化，无硅化物生成。而在接近0°的小角度处沉积的试样，在相同条件退火后则出现以NiSi为主的三种硅化物混合相。