离子束溅射制备Nb

研究了离子束溅射(IBS)制备的Nb2O5、Ta2O5和SiO2薄膜的光学特性、力学特性以及薄膜微结构, 分析了辅助离子源电压对薄膜特性的影响, 并将电子束蒸发、离子辅助沉积和IBS制备的薄膜进行了对比。研究结果表明, IBS制备的薄膜具有更好的光学特性和微结构, 同时具有较大的压应力、硬度和杨氏模量; 辅助离子源可以改善薄膜的光学特性, 调节薄膜应力和减小薄膜表面粗糙度, 但对硬度和杨氏模量的影响相对较小。在不同的辅助离子源电压下, IBS制备的Nb2O5应力为-152～-281 MPa, Ta2O5的应力为-299～-373 MPa, SiO2的应力为-427～-577 MPa; 在合适的工艺参数下, 消光系数可小于10-4; 薄膜表面平整, 均方根粗糙度小于0.2 nm。