采用离子束溅射技术，溅射不同面积比例的Bi/Te二元复合靶，制备Bi2Te3热电薄膜，所制备的薄膜Bi：Te原子比接近2：3。X射线衍射测量结果显示，薄膜的主要衍射峰与Bi2Te3标准衍射峰相同，在（015）晶面上择优选向明显，存在少量的Bi和【Bi，Te】杂质峰。霍尔系数测试及Seebeck系数测量结果表明，薄膜都为n型半导体薄膜，电导率量级为105Sm-1，电学性能良好。在不同条件下制备的薄膜Seebeck系数最大值为-168μVK-1，最小值为-32μVK-1。其中，Bi∶Te原子比为0.69，退火
