In0.5Ga0.5As/GaAs(001) 薄膜临界厚度的测量，刘珂，周清， 本文使用分子束外延(molecular beam epitaxy, MBE)设备在GaAs(001)衬底上生长了In0.5Ga0.5As量子点，制备过程中使用反射式高能电子衍射仪(high-energy
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