设计并生长了一种新的InGaP/GaAs/InGaP DHBT结构材料，采用在基区和集电区之间插入n+ InGaP插入层结构，已解决InGaP/GaAs/InGaP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延（GSMBE）技术，通过优化生长条件，获得了高质量外延材料，成功地生长出带有n+ InGaP插入层结构的GaAs基InGaP/GaAs/InGaP DHBT结构材料。采用常规的湿法腐蚀工艺，研制出发射极面积为100um×100um的新型结构InGaP/GaAs/InGaP DHBT器件。直流特性测试的结果表明，所设计的集电结带有n+ InGaP插入层的InGaP/GaAs/InGaP DHBT器件开启电压约为0.15V，反向击穿电压达到16V，与传统的单异质结InGaP/GaAs HBT相比，反向击穿电压提高了一倍，能够满足低损耗、较高功率器件与电路制作的要求。
